砷化鎵（GaAs）晶圓屬于軟脆材料，行業(yè)對其研磨拋光后的參數(shù)指標(biāo)普遍要求是：平整度控制在±2um以內(nèi)，TTV（總厚度變化）控制在每25mm區(qū)域1um以內(nèi)。在滿足參數(shù)指標(biāo)的前提下，提升生產(chǎn)效率和質(zhì)量，一直是Logitech所追求的目標(biāo)。Logitech研磨拋光設(shè)備，是能滿足以上要求。可實(shí)現(xiàn)8英寸及以下砷化鎵（GaAs）晶圓研磨和拋光，具有以下特點(diǎn)：

特點(diǎn)一：采用在線盤平整度檢測與控制。研磨盤的平整度，對研磨出的樣品至關(guān)重要！Logitech研磨拋光設(shè)備，修盤時(shí)，無需停止樣品研磨，設(shè)備可在樣品研磨的同時(shí)，在線監(jiān)測盤的平整度，根據(jù)研磨需要，自動調(diào)整擺臂的位置，以保持或改變研磨盤的平整度，使研磨盤達(dá)到用戶想要的盤目標(biāo)形狀，盤平整度控制的好，研磨出的樣品的品質(zhì)就高，此過程全程無需人工手動干預(yù)，大大提升生產(chǎn)效率和質(zhì)量。

特點(diǎn)二：采用動態(tài)研磨工藝。在制造砷化鎵（GaAs）晶圓時(shí)，為了減少表面損傷，改善表面粗糙度Ra，可以采用動態(tài)研磨工藝，讓初始載重較高，比如4倍，然后隨著砷化鎵（GaAs）晶圓的厚度逐漸減小，載重也分階段降低至3倍、2倍，最后達(dá)到1倍，直至達(dá)到樣品最終的研磨目標(biāo)厚度。在研磨過程中，較輕的載重將有效減少表面的損傷，產(chǎn)生更好的表面粗糙度Ra，從而縮短后續(xù)拋光時(shí)間。Logitech設(shè)備可通過一次連續(xù)操作，完成這一系列的載重調(diào)整的過程，大幅度提高生產(chǎn)效率和質(zhì)量。

以邏輯Akribis-air設(shè)備為例，6英寸砷化鎵（GaAs）晶圓研磨拋光試驗(yàn)數(shù)據(jù)如下：

研磨：保持恒定的盤速，使用的三種研磨料對6英寸砷化鎵（GaAs）進(jìn)行六次研磨，其中兩次使用3倍（3x）夾具載重，兩次使用2倍（2x）夾具載重，還有兩次使用1倍（x）夾具載重，對應(yīng)的材料去除率如下：

拋光：保持恒定的盤速70轉(zhuǎn)/分，使用Logitech專有Chemlox拋光液作為拋光液，對6英寸砷化鎵（GaAs）進(jìn)行六次拋光，其中兩次拋光使用4倍（4x）夾具載重，兩次使用3倍（3x）夾具載重，還有兩次使用2倍（2x）夾具載重，對應(yīng)材料去除率如下：

試驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，Logitech 設(shè)備在砷化鎵（GaAs）晶圓生產(chǎn)方面，有穩(wěn)定的材料去除率，設(shè)備加工樣品重復(fù)性高，通過在線對盤的平整度的控制以及動態(tài)研磨技術(shù)，控制樣品的平整度，降低表面粗糙度Ra，省時(shí)省力，提高了生產(chǎn)效率和加工質(zhì)量。